標準列表
鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
關鍵詞：GB/T 26074-2010
摘 要：
本標準規定了用直流四探針法測量鍺單晶電阻率的方法。本標準適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的最近距離二者均大于探針間距的4倍鍺單晶的體電阻率以及測量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍鍺單晶圓片（簡稱圓片）的電阻率。
太陽能電池用鍺單晶
關鍵詞：GB/T 26072-2010
摘 要：
本標準規定了太陽能電池用鍺單晶棒的術語、產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則及標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書和合同（或訂貨單）內容。本標準適用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制備的太陽能電池用鍺單晶滾圓棒。
太陽能電池用硅單晶切割片
關鍵詞：GB/T 26071-2010
摘 要：
本標準規定了太陽能電池用硅單晶切割片（簡稱硅片）的技術要求、試驗方法、檢驗規則和標志、包裝、運輸、貯存及質量證明書與訂貨單內容。本標準適用于直拉法（CZ/MCZ）制備的地面太陽能電池用硅單晶切割片。
化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法
關鍵詞：GB/T 26070-2010
摘 要：
本標準規定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶拋光片亞表面損傷的測試方法。本標準適用于GaAs、InP（GaP、GaSb可參照進行）等化合物半導體單晶拋光片亞表面損傷的測量。
硅退火片規范
關鍵詞：GB/T 26069-2010
摘 要：
本規范規定了半導體器件和集成電路制造用硅退火拋光片的要求、測試方法、檢驗規則等。本規范適用于線寬180nm、130nm和90nm工藝退火硅片。
硅片載流子復合壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法
關鍵詞：GB/T 26068-2010
摘 要：
本方法適用于測量均勻摻雜、經過拋光處理的n型或p型硅片的載流子復合壽命。本方法是非破壞性、無接觸測量。在電導率檢測系統的靈敏度足夠的條件下，本方法也可應用于測試切割或者經過研磨、腐蝕硅片的載流子復合壽命。
硅片切口尺寸測試方法
關鍵詞：GB/T 26067-2010
摘 要：
本標準定性的提供了判定硅片基準切口是否滿足標準限度要求的非破壞性測試方法。本方法的測試原理同樣適用于其他切口尺寸的測量。
硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
關鍵詞：GB/T 26066-2010
摘 要：
本標準規定了用熱氧化和化學擇優腐蝕技術檢驗拋光片或外延片表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢測方法。
硅單晶拋光試驗片規范
關鍵詞：GB/T 26065-2010
摘 要：
本規范規定了半導體器件制備中用作檢驗和工藝控制的硅單晶試驗片的技術要求。
鋰圓片
關鍵詞：GB/T 26064-2010
摘 要：
本標準規定了鋰圓片的要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存及質量證明書與合同（或訂貨單）內容。
本標準適用于以電池級金屬鋰為原料，經擠壓、沖制制得的供鋰－錳及其他鋰系列扣式電池用的鋰圓片。
鈹鋁合金
關鍵詞：GB/T 26063-2010
摘 要：
本標準規定了鈹鋁合金的要求、試驗方法、檢驗規則及標志、包裝、運輸、貯存及質量證明書與合同（或訂貨單）內容。
本標準適用于由粉末冶金工藝或由真空熔鑄工藝生產的鈹含量在60%～69%的鈹鋁合金產品。
鈮及鈮鋯合金絲
關鍵詞：GB/T 26062-2010
摘 要：
本標準規定了鈮及鈮鋯合金絲的要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書和合同（或訂貨單）內容。
本標準適用于冷拉方法生產的鈮及鈮鋯合金圓形絲材。
鉭鈮復合碳化物
關鍵詞：GB/T 26061-2010
摘 要：
本標準規定了鉭鈮復合碳化物的要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書和合同（或訂貨單）內容。
本標準適用于五氧化二鉭（或鉭粉）、五氧化二鈮碳熱還原法制得的鉭鈮復合碳化物。該產品用于生產硬質合金。
鈦及鈦合金鑄錠
關鍵詞：GB/T 26060-2010
摘 要：
本標準規定了鈦及鈦合金鑄錠的要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書及合同（或訂貨單）內容等。
本標準適用于真空自耗電弧爐（VAR）、電子束冷床爐（EBCHM）生產的鈦及鈦合金圓型鑄錠和矩形扁錠。
鈦及鈦合金網板
關鍵詞：GB/T 26059-2010
摘 要：
本標準規定了鈦及鈦合金網板的要求、試驗方法、檢驗規則和標志、包裝、運輸、貯存及合同（或訂貨單）內容等。
本標準適用于各種用途的、以板材冷沖成形的鈦及鈦合金網板。
