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中文名稱：化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法

英文名稱：Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 26070-2010

標(biāo)準(zhǔn)類型CN

發(fā)布日期：2011-1-10

實(shí)施日期：2011-10-1

摘要：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的測試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于GaAs、InP（GaP、GaSb可參照進(jìn)行）等化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的測量。

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