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中文名稱：硅片載流子復合壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法

英文名稱：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance

標準號：GB/T 26068-2010

標準類型CN

發布日期：2011-1-10

實施日期：2011-10-1

摘要：本方法適用于測量均勻摻雜、經過拋光處理的n型或p型硅片的載流子復合壽命。本方法是非破壞性、無接觸測量。在電導率檢測系統的靈敏度足夠的條件下，本方法也可應用于測試切割或者經過研磨、腐蝕硅片的載流子復合壽命。

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