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中文名稱：硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法

英文名稱：Practice for shallow etch pit detection on silicon

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 26066-2010

標(biāo)準(zhǔn)類型CN

發(fā)布日期：2011-1-10

實施日期：2011-10-1

摘要：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用熱氧化和化學(xué)擇優(yōu)腐蝕技術(shù)檢驗拋光片或外延片表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢測方法。

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