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標準列表
釩氮合金 硅、錳、磷、鋁含量的測定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法   
關(guān)鍵詞:GB/T 24583.8-2009
摘 要: GB/T 24583的本標準規(guī)定了電感耦合等離子體發(fā)射光譜法測定硅、錳、磷、鋁含量。本標準適用于釩氮合金中硅、錳、磷、鋁含量的測定。測定范圍(質(zhì)量分數(shù)):硅:0.010%~1.00%;錳:0.010%~0.500%;磷:0.010%~0.500%;鋁:0.010%~1.00%。
釩氮合金 氧含量的測定 紅外線吸收法   
關(guān)鍵詞:GB/T 24583.7-2009
摘 要: GB/T 24583的本部分規(guī)定了紅外線吸收法測定氧含量。本部分適用于釩氮合金中氧含量的測定。測定范圍(質(zhì)量分數(shù)):0.10%~2.00%。
釩氮合金 硫含量的測定 紅外線吸收法   
關(guān)鍵詞:GB/T 24583.6-2009
摘 要: GB/T 24583的本部分規(guī)定了紅外線吸收法測定硫含量。本部分適用于釩氮合金中硫含量的測定。測定范圍(質(zhì)量分數(shù)):0.010%~0.150%。
釩氮合金 磷含量的測定 鉍磷鉬藍分光光度法   
關(guān)鍵詞:GB/T 24583.5-2009
摘 要: GB/T 24583的本部分規(guī)定了鉍磷鉬藍光度法測定磷含量。本部分適用于釩氮合金中磷含量的測定。測定范圍(質(zhì)量分數(shù)):0.010%~0.100%。
釩氮合金 碳含量的測定 紅外線吸收法   
關(guān)鍵詞:GB/T 24583.4-2009
摘 要: GB/T 24583的本部分規(guī)定了紅外線吸收法測定碳含量。本部分適用于釩氮合金中碳含量的測定。測定范圍(質(zhì)量分數(shù)):1.00%~15.00%。
釩氮合金 氮含量的測定 蒸餾-中和滴定法   
關(guān)鍵詞:GB/T 24583.3-2009
摘 要: GB/T 24583的本部分規(guī)定了蒸餾-中和滴定法測定氮含量。本部分適用于釩氮合金中氮含量的測定。測定范圍(質(zhì)量分數(shù)):5.00%~20.00%。
釩氮合金 氮含量的測定 惰性氣體熔融熱導(dǎo)法   
關(guān)鍵詞:GB/T 24583.2-2009
摘 要: GB/T 24583的本部分規(guī)定了惰性氣體熔融熱導(dǎo)法測定氮含量。本部分適用于釩氮合金中氮含量的測定。測定范圍(質(zhì)量分數(shù)):5.00%~20.00%。
釩氮合金 釩含量的測定 硫酸亞鐵銨滴定法   
關(guān)鍵詞:GB/T 24583.1-2009
摘 要: GB/T 24583的本部分規(guī)定了硫酸亞鐵銨滴定法測定釩含量。本部分適用于釩氮合金中釩含量的測定。測定范圍(質(zhì)量分數(shù)):≥60.00%。
酸浸取-電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定 多晶硅表面金屬雜質(zhì)   
關(guān)鍵詞:GB/T 24582-2009
摘 要: 本標準規(guī)定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質(zhì),并用電感耦合等離子質(zhì)譜儀定量檢測多晶硅表面上的金屬雜質(zhì)痕量分析方法。
低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)含量的測試方法   
關(guān)鍵詞:GB/T 24581-2009
摘 要: 電子級多晶硅生產(chǎn)者和使用者都可采用LTFT-IR光譜來對多晶硅進行質(zhì)量保證和研發(fā)目的的測量。
重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測方法   
關(guān)鍵詞:GB/T 24580-2009
摘 要: 本標準規(guī)定了重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜測試方法。本標準適用于二次離子質(zhì)譜法(SIMS)對重摻n型硅襯底單晶體材料中痕量硼沾污(總量)的測試。
酸浸取 原子吸收光譜法測定 多晶硅表面金屬污染物   
關(guān)鍵詞:GB/T 24579-2009
摘 要: 本標準規(guī)定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質(zhì),并用石墨爐原子吸收定量檢測多晶硅塊表面上的痕量金屬雜質(zhì)分析方法。
硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法   
關(guān)鍵詞:GB/T 24578-2015
摘 要:
熱解吸氣相色譜法測定硅片表面的有機污染物   
關(guān)鍵詞:GB/T 24577-2009
摘 要: 本標準規(guī)定了硅片表面的有機污染物的定性和定量方法,采用氣質(zhì)聯(lián)用儀或磷選擇檢測器或者兩者同時采用。
高分辨率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗方法   
關(guān)鍵詞:GB/T 24576-2009
摘 要: 本標準規(guī)定了用高分辨X射線衍射測量GaAs襯底上AlGaAs外延層中Al含量的試驗方法。 本方法適用于在未摻雜GaAs襯底<001>方向上生長的AlGaAs外延層中Al含量的測定,使用本方法測量Al元素含量時,AlGaAs外延層厚度應(yīng)大于300nm。

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