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中文名稱：高分辨率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗方法

英文名稱：Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction

標準號：GB/T 24576-2009

標準類型CN

發布日期：2009-10-30

實施日期：2010-6-1

摘要：本標準規定了用高分辨X射線衍射測量GaAs襯底上AlGaAs外延層中Al含量的試驗方法。 本方法適用于在未摻雜GaAs襯底<001>方向上生長的AlGaAs外延層中Al含量的測定，使用本方法測量Al元素含量時，AlGaAs外延層厚度應大于300nm。

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