GB/T 24581-2009低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質含量的測試方法
中文名稱：低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質含量的測試方法
英文名稱：Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
標準號：GB/T 24581-2009
標準類型CN
發布日期：2009-10-30
實施日期：2010-6-1
摘要：電子級多晶硅生產者和使用者都可采用LTFT-IR光譜來對多晶硅進行質量保證和研發目的的測量。
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