標準列表
鐵氧體永磁直流電動機
關鍵詞：GB/T 6656-2008
摘 要：
本標準規定了鐵氧體永磁直流電動機的分類、技術要求和試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、儲存及運輸等。
硅拋光片表面質量目測檢驗方法
關鍵詞：GB/T 6624-2009
摘 要：
本標準規定了在一定光照條件下，用目測檢驗單晶拋光片（以下簡稱拋光片）表面質量的方法。
本標準適用于硅拋光片表面質量檢驗。外延片表面質量目測檢驗也可參考本方法進行。
硅片表面平整度測試方法
關鍵詞：GB/T 6621-2009
摘 要：
本標準規定了用電容位移傳感器測定硅拋光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蝕片也可參考此方法。
本標準適用于測量標準直徑76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,電阻率不大于200Ω.cm厚度不大于1000?m的硅拋光片的表面平整度和直觀描述硅片表面的輪廓形貌。
硅片翹曲度非接觸式測試方法
關鍵詞：GB/T 6620-2009
摘 要：
本標準規定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片（以下簡稱硅片）翹曲度的非接觸式測試方法。
本標準適用于測量直徑大于50 mm，厚度大于180?m的圓形硅片。本標準也適用于測量其他半導體圓片的翹曲度。本測試方法的目的是用于來料驗收或過程控制。本測試方法也適用于監視器件加工過程中硅片翹曲度的熱化學效應。
硅片彎曲度測試方法
關鍵詞：GB/T 6619-2009
摘 要：
本標準規定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片(以下簡稱硅片)彎曲度的接觸式測量方法。
本標準適用于測量直徑不小于25mm，厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于250的圓形硅片的彎曲度。本測試方法的目的是用于來料驗收和過程控制。本標準也適用于測量其它半導體圓片彎曲度。
硅片厚度和總厚度變化測試方法
關鍵詞：GB/T 6618-2009
摘 要：
本標準規定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片和外延片（簡稱硅片）厚度和總厚度變化的分立式和掃描式測量方法。
本標準適用于符合GB/T12964、GB/T12965、GB/T14139規定的尺寸的硅片的厚度和總厚度變化的測量。在測試儀器允許的情況下，本標準也可用于其他規格硅片的厚度和總厚度變化的測量。
硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
關鍵詞：GB/T 6617-2009
摘 要：
本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。
本標準適用于測量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量襯底同型或反型的硅片外延層的電阻率，測量范圍:10 Ωcm～10 Ω·cm。
半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
關鍵詞：GB/T 6616-2009
摘 要：
本標準規定了用非接觸渦流測定半導體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。
本標準適用于測量直徑或邊長大于25mm、厚度為0.1mm～1mm的硅單晶切割片、研磨片和拋光片（簡稱硅片）的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時，襯底的有效薄層電阻至少應為薄膜薄層電阻的1000倍。
鈦及鈦合金術語和金相圖譜
關鍵詞：GB/T 6611-2008
摘 要：
本標準規定了鈦及鈦合金術語，并提供了部分術語的金相照片。
