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中文名稱：半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法　非接觸渦流法

英文名稱：Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 6616-2009

標(biāo)準(zhǔn)類型CN

發(fā)布日期：2009-10-30

實施日期：2010-6-1

摘要：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用非接觸渦流測定半導(dǎo)體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑或邊長大于25mm、厚度為0.1mm～1mm的硅單晶切割片、研磨片和拋光片（簡稱硅片）的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時，襯底的有效薄層電阻至少應(yīng)為薄膜薄層電阻的1000倍。

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