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中文名稱：硅片電阻率測定　擴展電阻探針法

英文名稱：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

標準號：GB/T 6617-2009

標準類型CN

發布日期：2009-10-30

實施日期：2010-6-1

摘要：本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。 本標準適用于測量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量襯底同型或反型的硅片外延層的電阻率，測量范圍:10 Ωcm～10 Ω·cm。

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