標(biāo)準(zhǔn)列表
空間科學(xué)實(shí)驗(yàn)通用要求
關(guān)鍵詞：GB/T 28877-2012
摘 要：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在空間飛行器上進(jìn)行的空間科學(xué)實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目全過程中應(yīng)滿足的通用要求。
納米顆粒生物形貌效應(yīng)的環(huán)境掃描電子顯微鏡檢測(cè)方法通則
關(guān)鍵詞：GB/T 28873-2012
摘 要：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了環(huán)境掃描電子顯微鏡檢測(cè)納米顆粒與生物樣品相互作用的技術(shù)和規(guī)范。本標(biāo)準(zhǔn)適用于應(yīng)用掃描電子顯微鏡的低真空和環(huán)境真空模式，進(jìn)行納米顆粒生物效應(yīng)研究中生物樣品形貌的分析（顆粒的范圍可擴(kuò)展至亞微米級(jí)和微米級(jí)）。
鈮三錫(Nb3Sn)復(fù)合超導(dǎo)體的直流臨界電流測(cè)量
關(guān)鍵詞：GB/T 28871-2012
摘 要：
本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法適用于測(cè)定采用青銅法或內(nèi)錫法生產(chǎn)的銅/非銅比大于0.2的鈮三錫（Nb3Sn）復(fù)合超導(dǎo)體的直流臨界電流。本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法適用于標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下臨界電流小于1000 A、n-值大于12的超導(dǎo)體,且超導(dǎo)體所處的磁場(chǎng)小于或等于其上臨界磁場(chǎng)的0.7倍。測(cè)量過程中，被測(cè)樣品浸泡在已知溫度的液氦中。被測(cè)試的鈮三錫復(fù)合導(dǎo)體具有圓形截面的一體化結(jié)構(gòu)，其截面積小于2 mm2。被測(cè)樣品應(yīng)為感應(yīng)線圈幾何形狀。此外，為了簡(jiǎn)便和保持測(cè)量精密度，本標(biāo)準(zhǔn)不涉及對(duì)于大截面導(dǎo)體可能更適合的特殊的樣品形狀。
軟磁鐵氧體磁心術(shù)語(yǔ)定義 第1部分：物理缺陷術(shù)語(yǔ)
關(guān)鍵詞：GB/T 28864.1-2012
摘 要：
GB/T 28864的本部分規(guī)定了鐵氧體（磁性氧化物）磁心中最常見的表面缺陷、體缺陷及形狀缺陷命名法。大部分缺陷輔以圖示說明。對(duì)于指明缺陷的確切位置、將位置的一般名稱與更具體的位置修飾語(yǔ)結(jié)合起來的一致方案，也給出了一般建議。當(dāng)起草技術(shù)文件、缺陷檢測(cè)規(guī)范等時(shí)，本部分在術(shù)語(yǔ)方面有參考作用。
電子元器件用環(huán)氧粉末包封料
關(guān)鍵詞：GB/T 28859-2012
摘 要：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子元器件用環(huán)氧粉末包封料的分類、技術(shù)要求、檢驗(yàn)規(guī)則、檢驗(yàn)方法、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸及貯存要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于陶瓷電容器、壓敏電阻器、薄膜電容器、電阻網(wǎng)絡(luò)、熱敏電阻器等電子元器件流化床包封用環(huán)氧粉末包封料。
