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中文名稱：砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測量方法

英文名稱：Gallium arsenide single crystal—Determination of dislocation density

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 8760-2006

標(biāo)準(zhǔn)類型CN

發(fā)布日期：2006-7-18

實(shí)施日期：2006-11-1

摘要： 本標(biāo)準(zhǔn)適用于位錯(cuò)密度為0--100000個(gè)/CM 的砷化鎵單晶的位錯(cuò)密度的測量。檢驗(yàn)面為[111]面和[100]面。

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