GB/T 30867-2014碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法
中文名稱:碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法
英文名稱:Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 30867-2014
標(biāo)準(zhǔn)類型CN
發(fā)布日期:2014-7-24
實(shí)施日期:2015-2-1
摘要:
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