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中文名稱：用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規程

英文名稱：Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy

標準號：GB/T 29057-2012

標準類型CN

發布日期：2012-12-31

實施日期：2013-10-1

摘要：本標準包括多晶硅棒取樣、將樣品區熔拉制成單晶以及通過光譜分析法對拉制好的單晶硅棒進行分析以確定多晶硅中痕量雜質的程序。這些痕量雜質包括施主雜質、受主雜質及碳雜質。 本標準中適用的雜質濃度測定范圍：施主和受主雜質為（0.002～100）ppba（十億分之一原子比），碳雜質為（0.02～15）ppma（百萬分之一原子比）。樣品中的這些雜質是通過低溫紅外光譜法或光致發光光譜法分析的。 本標準僅適用于評價在硅芯上沉積生長的多晶硅棒。

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