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中文名稱(chēng)：帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)量方法

英文名稱(chēng)：Test procedures for semiconductor charged particle detectors

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 5201-2012

標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型CN

發(fā)布日期：2012-6-29

實(shí)施日期：2012-11-1

摘要：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器的電特性和核輻射性能的測(cè)量方法以及某些特殊環(huán)境的試驗(yàn)方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于帶電粒子部分耗盡層的半導(dǎo)體探測(cè)器。

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