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中文名稱：非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

英文名稱：Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 4326-2006

標(biāo)準(zhǔn)類型CN

發(fā)布日期：2006-7-18

實(shí)施日期：2006-11-1

摘要：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)量方法適用于非本征半導(dǎo)體單晶材料的霍爾系數(shù)、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃度。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)量方法僅在有限的范圍內(nèi)對(duì)鍺、硅、砷化鎵單晶材料進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，但該方法也可適用于其他半導(dǎo)體單晶材料，一般情況下，適用于半導(dǎo)體單晶材料的測(cè)試。

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