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中文名稱：硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

英文名稱：Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 4058-2009

標(biāo)準(zhǔn)類型CN

發(fā)布日期：2009-10-30

實(shí)施日期：2010-6-1

摘要：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片表面區(qū)在模擬器件氧化工藝中誘生或增強(qiáng)的晶體缺陷的檢測(cè)。 硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)也可參照此方法。

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