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中文名稱：重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

英文名稱：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

標準號：GB/T 14847-2010

標準類型CN

發布日期：2011-1-10

實施日期：2011-10-1

摘要：本標準規定重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法。本標準適用于襯底在23℃電阻率小于0.02Ω·cm和外延層在23℃電阻率大于0.1Ω·cm且外延層厚度大于2微米的n型和p型硅外延層厚度的測量；在降低精度情況下，該方法原則上也適用于測試0.5微米~2微米之間的n型和p型外延層厚度。

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