欧美成人精品一区二区男人小说,美媛馆国产精品一区二区,亚洲成人av一区二区,欧美momandson

中文名稱：硅外延層載流子濃度測(cè)定汞探針電容-電壓法

英文名稱：Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 14146-2009

標(biāo)準(zhǔn)類型CN

發(fā)布日期：2009-10-30

實(shí)施日期：2010-6-1

摘要：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延層載流子濃度汞探針電容－電壓測(cè)量方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于同質(zhì)的硅外延層載流子濃度測(cè)量。

>> 更多信息及訂購(gòu)