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中文名稱：硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定　直排四探針法

英文名稱：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

標準號：GB/T 14141-2009

標準類型CN

發布日期：2009-10-30

實施日期：2010-6-1

摘要：本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。 本標準適用于測量直徑大于15.9 mm的由外延、擴散、離子注入到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10Ω～5000 Ω。該方法也可適用于更高或更低阻值方塊電阻的測量，但其測量精確度尚未評估。

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