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中文名稱：硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質的光致發光測試方法

英文名稱：Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

標準號：GB/T 24574-2009

標準類型CN

發布日期：2009-10-30

實施日期：2010-6-1

摘要：本標準規定了硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質的光致發光測試方法。 本標準適用于低位錯單晶硅中導電性雜質硼和磷含量的同時測定。 本標準用于檢測單晶硅中含量為1 1011at.cm-3~5 1015 at.cm-3的各種電活性雜質元素。

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