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中文名稱：半導(dǎo)體器件　分立器件　第6部分：晶閘管　第三篇　電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范

英文名稱：Semiconductor devices—Discrete devices—Part 6:thyristors—Section three—Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 13151-2005

標(biāo)準(zhǔn)類型CN

發(fā)布日期：2005-3-23

實(shí)施日期：2005-10-1

摘要：本標(biāo)準(zhǔn)是晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范系列國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之一，等同采用IEC 60747-6-3:1993。

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