欧美成人精品一区二区男人小说,美媛馆国产精品一区二区,亚洲成人av一区二区,欧美momandson

中文名稱：半導體器件　分立器件　電流大于100A、環境和管殼額定的雙向三級晶閘管空白詳細規范

英文名稱：Semiconductor devices—Discrete devices—Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A

標準號：GB/T 13150-2005

標準類型CN

發布日期：2005-3-23

實施日期：2005-10-1

摘要：本標準是晶閘管空白詳細規范系列國家標準之一，本標準是參照IEC 60747-6-2:1991、修訂GB/T 13150-1991而產生。與IEC 60747-6-2的一致性程度為非等效。

>> 更多信息及訂購